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学术报告:GaN基半导体的新热点——从半导体照明到电力电子器件

 

学术报告:GaN基半导体的新热点——从半导体照明到电力电子器件

人:沈波 教授(北京大学宽禁带半导体研究中心,人工微结构和介观物理国家重点实验室)

报告时间:2015111614:30

报告地点:西教二—407

 

报告摘要:

GaN基宽禁带半导体在短波长光电子器件和功率电子器件领域均具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。本报告将在简要回顾半导体照明发展历程和现状的基础上,重点先容GaN基电子器件的发展历程和动态,包括GaN基微波功率器件和电力电子器件,并对该领域当前面临的关键科学和技术挑战进行分析。

报告人概况:

沈波,男,19637月生,江苏扬州市人,北京大学物理学院教授,博士生导师、长江学者、国家杰出青年基金获得者、国家973计划项目首席科学家、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、 “半导体照明”重点专项总体专家组成员。1985年毕业于南京大学物理系,获学士学位,1988年毕业于中国科技大学物理系,获硕士学位,1995年毕业于日本东北大学材料科学研究所(IMR),获博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所(IIS)客座研究员,东京大学先端科技研究中心(RCAST)、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授,日本产业技术综合研究所(AIST) JSPS访问教授。

1995年起一直从事III族氮化物 (又称GaN) 宽禁带半导体材料、物理和器件研究,在GaN基异质结构MOCVD外延生长,强极化、高能带阶跃氮化物半导体载流子输运性质,GaN基功率电子器件和紫外光电探测器件研制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展;近年来带领其课题组在AlInN/GaN晶格匹配异质结构和Si衬底GaN基异质结构MOCVD外延生长,InGaN基材料MBE外延生长和p型掺杂、GaN基异质结构二维电子气自旋性质等方面取得了一系列进展。先后主持和作为核心成员参加国家973计划项目,国家863计划项目,国家自然科学基金重大、重点项目,教育部、北京市重点项目,以及军口项目等20多项科研课题,发表SCI收录论文200多篇,论文被引用2000多次,先后在国际学术会议上做邀请报告10多次,获得/申请国家发明专利20多件,多次担任国际学术会议程序委员会、组织委员会主席和委员,担任国内多个国家重点实验室、科学院重点实验室和国防重点实验室的学术委员会委员,先后获国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。

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